casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / HSMS-2865-TR1
Número da peça de fabricante | HSMS-2865-TR1 |
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Número da peça futura | FT-HSMS-2865-TR1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HSMS-2865-TR1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky - 2 Independent |
Tensão - pico reverso (máximo) | 4V |
Corrente - Max | - |
Capacitância @ Vr, F | 0.3pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | - |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-143-4 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2865-TR1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HSMS-2865-TR1-FT |
BA89202VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BA89202VH6433XTMA1
Infineon Technologies
BAR 50-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 50-02V E6768
Infineon Technologies
BAR 63-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 64-02V E6127
Infineon Technologies
BAR 64-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 65-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 67-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6127
Infineon Technologies
M7A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
10M16DAF256I7G
Intel
5SGXMA7N1F40C1N
Intel
5SGXEA5H2F35I2L
Intel
XC7K410T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel
EP2S130F1020I4N
Intel