casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / HSMS-2829-TR2G
Número da peça de fabricante | HSMS-2829-TR2G |
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Número da peça futura | FT-HSMS-2829-TR2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HSMS-2829-TR2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky - Cross Over |
Tensão - pico reverso (máximo) | 15V |
Corrente - Max | 1A |
Capacitância @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 12 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-143-4 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2829-TR2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HSMS-2829-TR2G-FT |
BAT6302VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR6702VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BA 892-02V E6127
Infineon Technologies
BA 892-02V E6327
Infineon Technologies
BA 892-02V E6433
Infineon Technologies
BA89202VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BA89202VH6433XTMA1
Infineon Technologies
BAR 50-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 50-02V E6768
Infineon Technologies
BAR 63-02V E6327
Infineon Technologies
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
AGL030V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-1
Intel
XC6VLX130T-L1FF784I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC7G3F31I3N
Intel
EP2AGX65CU17C6NES
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel
EP4CE40F19A7N
Intel