casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / HSMS-280N-TR1G
Número da peça de fabricante | HSMS-280N-TR1G |
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Número da peça futura | FT-HSMS-280N-TR1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HSMS-280N-TR1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky - 2 Pair Common Anode |
Tensão - pico reverso (máximo) | 70V |
Corrente - Max | 1A |
Capacitância @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 35 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-280N-TR1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HSMS-280N-TR1G-FT |
MBD101
ON Semiconductor
MBD101G
ON Semiconductor
MBD301G
ON Semiconductor
MBD701
ON Semiconductor
MBD701G
ON Semiconductor
MPN3404G
ON Semiconductor
MPN3700
ON Semiconductor
MPN3700G
ON Semiconductor
DMV1500SDFD
STMicroelectronics
DMV1500MFD
STMicroelectronics
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
AGL030V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-1
Intel
XC6VLX130T-L1FF784I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC7G3F31I3N
Intel
EP2AGX65CU17C6NES
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel
EP4CE40F19A7N
Intel