casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / HSM835GE3/TR13
Número da peça de fabricante | HSM835GE3/TR13 |
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Número da peça futura | FT-HSM835GE3/TR13 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HSM835GE3/TR13 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 620mV @ 8A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 250µA @ 35V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-215AB |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSM835GE3/TR13 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HSM835GE3/TR13-FT |
RB751V-40 RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
STPS30S45CW
STMicroelectronics
BAS21TMQ-13
Diodes Incorporated
CMC02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMG02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMG03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH02A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation