casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / HSM835GE3/TR13
Número da peça de fabricante | HSM835GE3/TR13 |
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Número da peça futura | FT-HSM835GE3/TR13 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HSM835GE3/TR13 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 620mV @ 8A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 250µA @ 35V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-215AB |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSM835GE3/TR13 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HSM835GE3/TR13-FT |
RB751V-40 RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
STPS30S45CW
STMicroelectronics
BAS21TMQ-13
Diodes Incorporated
CMC02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMG02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMG03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH02A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation