casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / HS123100R
Número da peça de fabricante | HS123100R |
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Número da peça futura | FT-HS123100R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HS123100R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky, Reverse Polarity |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 120A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 120A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 3mA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | 3000pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | HALF-PAK |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | HALF-PAK |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS123100R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HS123100R-FT |
GP10G-7010M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-110BE3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-110E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-110E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-124E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-146M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-159E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-161E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-167E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-6329M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel