casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / HN3C51F-GR(TE85L,F
Número da peça de fabricante | HN3C51F-GR(TE85L,F |
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Número da peça futura | FT-HN3C51F-GR(TE85L,F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HN3C51F-GR(TE85L,F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 120V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
Potência - Max | 300mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SM6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HN3C51F-GR(TE85L,F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HN3C51F-GR(TE85L,F-FT |
UP0460100L
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DMA502010R
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Microsemi Corporation
10AX115N4F45I3SGES
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EPF10K50SQC240-1
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