casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / HN2D02FUTW1T1G
Número da peça de fabricante | HN2D02FUTW1T1G |
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Número da peça futura | FT-HN2D02FUTW1T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HN2D02FUTW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 3 Independent |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 100mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 3ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 75V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HN2D02FUTW1T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HN2D02FUTW1T1G-FT |
NTSJ40100CTG
ON Semiconductor
NSR0115CQP6T5G
ON Semiconductor
BAW56M3T5G
ON Semiconductor
DAN222M3T5G
ON Semiconductor
DAP222M3T5G
ON Semiconductor
NSR30CM3T5G
ON Semiconductor
NSDEMP11XV6T1G
ON Semiconductor
SBAS16DXV6T1G
ON Semiconductor
BAS16DXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBAV70DXV6T5G
ON Semiconductor
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel