casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / HMLQ20161T-2R2MDR
Número da peça de fabricante | HMLQ20161T-2R2MDR |
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Número da peça futura | FT-HMLQ20161T-2R2MDR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HMLQ20161T |
HMLQ20161T-2R2MDR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Metal |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 2.2A |
Atual - saturação | 2.45A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HMLQ20161T-2R2MDR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HMLQ20161T-2R2MDR-FT |
CMLE053T-6R8MS
Delta Electronics/Cyntec
CMLE053T-R20MS
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Lattice Semiconductor Corporation
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XCVU080-H1FFVD1517E
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XC3S1600E-4FG484I
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MPF300T-FCG484I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQG100
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LFE2M50E-6FN672I
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