casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / HM79-20180LFTR13
Número da peça de fabricante | HM79-20180LFTR13 |
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Número da peça futura | FT-HM79-20180LFTR13 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HM79 |
HM79-20180LFTR13 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 18µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.23A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.228" L x 0.205" W (5.80mm x 5.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.177" (4.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HM79-20180LFTR13 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HM79-20180LFTR13-FT |
IHD1ER100L
Vishay Dale
IHD1ER101L
Vishay Dale
IHD1ER151L
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IHD1ER470L
Vishay Dale
IHD1ER560L
Vishay Dale
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel