casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / HM17-855180LF
Número da peça de fabricante | HM17-855180LF |
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Número da peça futura | FT-HM17-855180LF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HM17 |
HM17-855180LF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 18µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 2A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.307" Dia (7.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.217" (5.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HM17-855180LF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HM17-855180LF-FT |
HM11-12005LF
TT Electronics/BI Magnetics
HM11-21001LF
TT Electronics/BI Magnetics
HM11-21302LF
TT Electronics/BI Magnetics
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TT Electronics/BI Magnetics
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HM11-31804LF
TT Electronics/BI Magnetics
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256
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A3PN060-VQG100
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A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C9LN
Intel
10M25DAF256I7P
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