casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / HK21252N7S-T
Número da peça de fabricante | HK21252N7S-T |
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Número da peça futura | FT-HK21252N7S-T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HK |
HK21252N7S-T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 2.7nH |
Tolerância | ±0.3nH |
Classificação atual | 300mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | 12 @ 100MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 4GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.041" (1.05mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HK21252N7S-T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HK21252N7S-T-FT |
LBM2016T101JV
Taiyo Yuden
LBM2016T120J
Taiyo Yuden
LBM2016T120JV
Taiyo Yuden
LBM2016T150JV
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LBM2016T180J
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LBM2016T180JV
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LBM2016T1R0JV
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LBM2016T1R2J
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LBM2016T1R2JV
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LBM2016T1R5JV
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LFE2-6SE-5TN144C
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XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
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M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel