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Número da peça de fabricante | HK10051N8S-T |
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Número da peça futura | FT-HK10051N8S-T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HK |
HK10051N8S-T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 1.8nH |
Tolerância | ±0.3nH |
Classificação atual | 700mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 120 mOhm Max |
Q @ Freq | 8 @ 100MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 6GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0402 (1005 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0402 (1005 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.022" (0.55mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HK10051N8S-T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HK10051N8S-T-FT |
HK10056N8J-T
Taiyo Yuden
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XC6SLX100T-4FGG900C
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XC3S400-4PQG208C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300E-5UWG36CTR1K
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ICE5LP1K-SWG36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX75DF27I7N
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EPF10K30EFC484-2X
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EP4SE360H29C2
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EP4CE10E22C7N
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XC7K355T-3FFG901E
Xilinx Inc.
EP2S130F1020C5N
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