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HIP6601BCBZ Image

Renesas Electronics America Inc. HIP6601BCBZ

Número da peça MFG
HIP6601BCBZ
Quantidade disponível
59360 Peças
Preço de referência
USD 2.504
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
Renesas Electronics America Inc.
Descrição breve
- IC DRIVER MOSFET DUAL 8-SOIC
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
PMIC - Drivers de Gate
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
HIP6601BCBZ.pdf
HIP6601BCBZ Image

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HIP6601BCBZ Especificações

Número da peça de fabricante HIP6601BCBZ
Número da peça futura FT-HIP6601BCBZ
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
HIP6601BCBZ Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Last Time Buy
Configuração Dirigida Half-Bridge
Tipo de canal Synchronous
Número de Drivers 2
Tipo de portão N-Channel MOSFET
Tensão - fonte 10.8V ~ 13.2V
Tensão Lógica - VIL, VIH -
Corrente - Saída de pico (fonte, dissipador) -
Tipo de entrada Non-Inverting
Alta Tensão Lateral - Max (Bootstrap) 15V
Tempo de subida / queda (Typ) 20ns, 20ns
Temperatura de operação 0°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 8-SOIC
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HIP6601BCBZ Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição HIP6601BCBZ-FT

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