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ON Semiconductor HGTP10N120BN

Name: HGTP10N120BN
Brand: ON Semiconductor
SKU: HGTP10N120BN
Price: 1.427168 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (648 reviews)

Número da peça MFG: HGTP10N120BN

Quantidade disponível: 99380 Peças

Preço de referência: USD 1.427168

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fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: - IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - IGBTs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: HGTP10N120BN.pdf

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HGTP10N120BN Especificações

Número da peça de fabricante	HGTP10N120BN
Número da peça futura	FT-HGTP10N120BN
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
HGTP10N120BN Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Not For New Designs
Tipo IGBT	NPT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max)	1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max)	35A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	80A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Potência - Max	298W
Energia de comutação	320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo de entrada	Standard
Carga do Portão	100nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C	23ns/165ns
Condição de teste	960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr)	-
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / caso	TO-220-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGTP10N120BN Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	HGTP10N120BN-FT

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