casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / HGTG5N120BND
Número da peça de fabricante | HGTG5N120BND |
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Número da peça futura | FT-HGTG5N120BND |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HGTG5N120BND Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | NPT |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 21A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 40A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 5A |
Potência - Max | 167W |
Energia de comutação | 450µJ (on), 390µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 53nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 22ns/160ns |
Condição de teste | 960V, 5A, 25 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 65ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HGTG5N120BND Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HGTG5N120BND-FT |
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