casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / HGTG30N60B3D
Número da peça de fabricante | HGTG30N60B3D |
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Número da peça futura | FT-HGTG30N60B3D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HGTG30N60B3D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 60A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 220A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
Potência - Max | 208W |
Energia de comutação | 550µJ (on), 680µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 170nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 36ns/137ns |
Condição de teste | 480V, 30A, 3 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 55ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HGTG30N60B3D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HGTG30N60B3D-FT |
IRGIB4640DPBF
Infineon Technologies
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