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ON Semiconductor HGTD3N60C3S9A

Name: HGTD3N60C3S9A
Brand: ON Semiconductor
SKU: HGTD3N60C3S9A
Availability: InStock
Rating: 4.9 (778 reviews)

Número da peça MFG: HGTD3N60C3S9A

Quantidade disponível: 76830 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: - IGBT 600V 6A 33W TO252AA

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - IGBTs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: HGTD3N60C3S9A.pdf

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HGTD3N60C3S9A Especificações

Número da peça de fabricante	HGTD3N60C3S9A
Número da peça futura	FT-HGTD3N60C3S9A
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
HGTD3N60C3S9A Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo IGBT	-
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max)	600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max)	6A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	24A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 3A
Potência - Max	33W
Energia de comutação	85µJ (on), 245µJ (off)
Tipo de entrada	Standard
Carga do Portão	10.8nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C	-
Condição de teste	480V, 3A, 82 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr)	-
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-252AA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGTD3N60C3S9A Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	HGTD3N60C3S9A-FT

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