casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / HGT1S3N60A4DS9A
Número da peça de fabricante | HGT1S3N60A4DS9A |
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Número da peça futura | FT-HGT1S3N60A4DS9A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HGT1S3N60A4DS9A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 17A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 40A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 3A |
Potência - Max | 70W |
Energia de comutação | 37µJ (on), 25µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 21nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 6ns/73ns |
Condição de teste | 390V, 3A, 50 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 29ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HGT1S3N60A4DS9A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HGT1S3N60A4DS9A-FT |
SGP23N60UFDTU
ON Semiconductor
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EP2C5T144C7
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A3P1000-FGG256
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10AX115U4F45E3LG
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