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ON Semiconductor HGT1S10N120BNST

Name: HGT1S10N120BNST
Brand: ON Semiconductor
SKU: HGT1S10N120BNST
Price: 1.442368 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (138 reviews)

Número da peça MFG: HGT1S10N120BNST

Quantidade disponível: 95280 Peças

Preço de referência: USD 1.442368

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fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: - IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - IGBTs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: HGT1S10N120BNST.pdf

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HGT1S10N120BNST Especificações

Número da peça de fabricante	HGT1S10N120BNST
Número da peça futura	FT-HGT1S10N120BNST
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
HGT1S10N120BNST Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo IGBT	NPT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max)	1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max)	35A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	80A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Potência - Max	298W
Energia de comutação	320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo de entrada	Standard
Carga do Portão	100nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C	23ns/165ns
Condição de teste	960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr)	-
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-263AB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGT1S10N120BNST Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	HGT1S10N120BNST-FT

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