casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / HGT1N30N60A4D
Número da peça de fabricante | HGT1N30N60A4D |
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Número da peça futura | FT-HGT1N30N60A4D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HGT1N30N60A4D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Single |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 96A |
Potência - Max | 255W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 30A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 250µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | - |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-227B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HGT1N30N60A4D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HGT1N30N60A4D-FT |
FS50R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
FS50R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FS50R06YE3BOMA1
Infineon Technologies
FS50R06YL4BOMA1
Infineon Technologies
FS50R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS50R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FS50R07U1E4BPSA1
Infineon Technologies
FS50R12U1T4BPSA1
Infineon Technologies
FS50R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FS50R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies
LCMXO1200E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152C4
Intel
XC6VLX365T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S1F45I1SG
Intel
EP20K1000CB652C9N
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EPF10K30AQC240-2N
Intel