casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / HGT1N30N60A4D
Número da peça de fabricante | HGT1N30N60A4D |
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Número da peça futura | FT-HGT1N30N60A4D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HGT1N30N60A4D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Single |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 96A |
Potência - Max | 255W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 30A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 250µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | - |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-227B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HGT1N30N60A4D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HGT1N30N60A4D-FT |
FS50R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
FS50R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FS50R06YE3BOMA1
Infineon Technologies
FS50R06YL4BOMA1
Infineon Technologies
FS50R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS50R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FS50R07U1E4BPSA1
Infineon Technologies
FS50R12U1T4BPSA1
Infineon Technologies
FS50R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FS50R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies
LFXP3C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG484M
Microsemi Corporation
APA600-PQG208
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1VF400I
Microsemi Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE10F17C8N
Intel
A42MX24-TQ176M
Microsemi Corporation
LFEC20E-3F672C
Lattice Semiconductor Corporation