casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / HER308GT-G
Número da peça de fabricante | HER308GT-G |
---|---|
Número da peça futura | FT-HER308GT-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HER308GT-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 75ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-201AA, DO-27, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-27 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER308GT-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HER308GT-G-FT |
EU 1V0
Sanken
EU 1V1
Sanken
EU 1Z
Sanken
EU 1ZV
Sanken
EU 1ZV0
Sanken
EU 1ZV1
Sanken
EU 2
Sanken
EU 2A
Sanken
EU 2AV
Sanken
EU 2AV0
Sanken
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP1C12F324C8
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel