casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / HER308G R0G
Número da peça de fabricante | HER308G R0G |
---|---|
Número da peça futura | FT-HER308G R0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HER308G R0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 75ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacitância @ Vr, F | 35pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-201AD, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-201AD |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER308G R0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HER308G R0G-FT |
2A07G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
2A07GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A100 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A100 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A60 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A60 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A60HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR151G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR151G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR151GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel