casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / HER306G B0G
Número da peça de fabricante | HER306G B0G |
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Número da peça futura | FT-HER306G B0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HER306G B0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 75ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | 35pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-201AD, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-201AD |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER306G B0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HER306G B0G-FT |
SR515 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR804 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR804 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR805 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR810 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR810HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR815 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR301G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR301G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR302G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel