casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / HER108S-TP
Número da peça de fabricante | HER108S-TP |
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Número da peça futura | FT-HER108S-TP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HER108S-TP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 40V |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 75ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Capacitância @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | A-405 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 125°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER108S-TP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HER108S-TP-FT |
GP10BE-075E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10D-5400M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10D-6453M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10G-013M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10G-132M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10G-138M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10G-5022M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10G-6295M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10G-7010M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-110BE3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel