casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / HER1006G C0G
Número da peça de fabricante | HER1006G C0G |
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Número da peça futura | FT-HER1006G C0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HER1006G C0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 80ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER1006G C0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HER1006G C0G-FT |
SR16150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1620 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1620HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1630 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1630HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1640 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1640HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1650 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1650HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1660 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel