casa / produtos / Relés / Relés de Potência, Mais de 2 Amps / HE1AN-W-DC9V-Y6
Número da peça de fabricante | HE1AN-W-DC9V-Y6 |
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Número da peça futura | FT-HE1AN-W-DC9V-Y6 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HE-PV |
HE1AN-W-DC9V-Y6 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de relé | Through Hole |
Tipo de bobina | 9VDC |
Corrente de bobina | SPST-NO (1 Form A) |
Tensão da bobina | 90A |
Formulário de Contato | 277VAC - Max |
Classificação de contato (atual) | 213mA |
Tensão de comutação | Non Latching |
Ligue a voltagem (máx) | - |
Desligue a tensão (Min) | PC Pin |
Operar o tempo | 6.3 VDC |
Tempo de lançamento | 0.9 VDC |
Características | 30ms |
Tipo de montagem | 10ms |
Estilo de Terminação | -50°C ~ 55°C |
Temperatura de operação | Silver Nickel (AgNi) |
General Purpose | |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HE1AN-W-DC9V-Y6 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HE1AN-W-DC9V-Y6-FT |
PA1A-12V
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PA1A-6V
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PA1A-9V
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NC4EBD-P-DC24V
Panasonic Electric Works
A40MX04-FVQ80
Microsemi Corporation
XC5206-5TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3CQC
Microchip Technology
EP1S10B672C6
Intel
EP4CE75F23I7
Intel
EP4SGX290FH29C4N
Intel
EP4SGX360NF45C2
Intel
LFX200B-03FN256C
Lattice Semiconductor Corporation