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Número da peça de fabricante | HC9-100-R |
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Número da peça futura | FT-HC9-100-R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HC9 |
HC9-100-R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 10µH |
Tolerância | ±15% |
Classificação atual | 8.5A |
Atual - saturação | 12.5A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 14 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 155°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.555" L x 0.516" W (14.10mm x 13.10mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.295" (7.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HC9-100-R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HC9-100-R-FT |
SD25-470-R
Eaton - Electronics Division
SD25-4R7-R
Eaton - Electronics Division
SD25-6R8-R
Eaton - Electronics Division
SD25-8R2-R
Eaton - Electronics Division
SD25-102-R
Eaton - Electronics Division
SD25-1R5-R
Eaton - Electronics Division
SD25-220-R
Eaton - Electronics Division
SD25-221-R
Eaton - Electronics Division
SD25-330-R
Eaton - Electronics Division
SD25-331-R
Eaton - Electronics Division
AGLN020V2-QNG68I
Microsemi Corporation
EPF10K30ETC144-1N
Intel
XC6SLX45-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5H3F35I3LN
Intel
XC7A50T-1CPG236C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2SG
Intel
EP2AGX95EF35I5ES
Intel