casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / HBDM60V600W-7
Número da peça de fabricante | HBDM60V600W-7 |
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Número da peça futura | FT-HBDM60V600W-7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HBDM60V600W-7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN, PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA, 600mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 65V, 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V |
Potência - Max | 200mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HBDM60V600W-7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HBDM60V600W-7-FT |
DN0150ADJ-7
Diodes Incorporated
DST3946DPJ-7
Diodes Incorporated
DP0150ADJ-7
Diodes Incorporated
DST3904DJ-7
Diodes Incorporated
DST847BDJ-7
Diodes Incorporated
BC857BV-7
Diodes Incorporated
BC847BV-7
Diodes Incorporated
MMDT3904V-7
Diodes Incorporated
MMDT2907V-7
Diodes Incorporated
MMDT3906VC-7
Diodes Incorporated
XC6SLX150-3FGG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1TQG176
Microsemi Corporation
AX1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C6
Intel
10M08DFV81C8G
Intel
XC6SLX25-N3CSG324C
Xilinx Inc.
10AX066N2F40I2SG
Intel
EP20K200EQC240-3N
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel