casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / HBDM60V600W-7
Número da peça de fabricante | HBDM60V600W-7 |
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Número da peça futura | FT-HBDM60V600W-7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HBDM60V600W-7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN, PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA, 600mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 65V, 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V |
Potência - Max | 200mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HBDM60V600W-7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HBDM60V600W-7-FT |
DN0150ADJ-7
Diodes Incorporated
DST3946DPJ-7
Diodes Incorporated
DP0150ADJ-7
Diodes Incorporated
DST3904DJ-7
Diodes Incorporated
DST847BDJ-7
Diodes Incorporated
BC857BV-7
Diodes Incorporated
BC847BV-7
Diodes Incorporated
MMDT3904V-7
Diodes Incorporated
MMDT2907V-7
Diodes Incorporated
MMDT3906VC-7
Diodes Incorporated
XC3S100E-5VQG100C
Xilinx Inc.
XA3S200-4PQG208I
Xilinx Inc.
A42MX36-3PQG240I
Microsemi Corporation
EPF10K250EBI600-3
Intel
10AX027H2F34E2SG
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
5SGXMA7H3F35I3LN
Intel
LFE2-50E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81188ARC240-4AA
Intel