casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / HBAT-540C-TR2G

| Número da peça de fabricante | HBAT-540C-TR2G |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-HBAT-540C-TR2G |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| HBAT-540C-TR2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo de Diodo | Schottky - 1 Pair Series Connection |
| Tensão - pico reverso (máximo) | 30V |
| Corrente - Max | 430mA |
| Capacitância @ Vr, F | - |
| Resistência @ Se, F | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 825mW |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Pacote / caso | SC-70, SOT-323 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-323 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| HBAT-540C-TR2G Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | HBAT-540C-TR2G-FT |

BAR 63-02W E6127
Infineon Technologies

BAR 63-02W E6327
Infineon Technologies

BAR 63-02W E6433
Infineon Technologies

BAR 63-02W H6433
Infineon Technologies

BAR6302WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BAT 62-02W E6327
Infineon Technologies

BAT6202WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BAT2402LSE6327XTSA1
Infineon Technologies

BAR 95-02LS E6327
Infineon Technologies

BAR9002LSE6327XTSA1
Infineon Technologies

A1010B-VQ80I
Microsemi Corporation

XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.

EP3SE110F1152I3N
Intel

XC2VP4-5FFG672C
Xilinx Inc.

A3P1000-FGG144M
Microsemi Corporation

LCMXO1200E-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation

5CGXFC7C6U19I7N
Intel

10AX090N3F45I2LG
Intel

EP2AGX45DF29I5N
Intel

EP2C5Q208C7
Intel