casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / HBAT-540B-TR2G
Número da peça de fabricante | HBAT-540B-TR2G |
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Número da peça futura | FT-HBAT-540B-TR2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HBAT-540B-TR2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 30V |
Corrente - Max | 430mA |
Capacitância @ Vr, F | - |
Resistência @ Se, F | - |
Dissipação de energia (máx.) | 825mW |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-323 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HBAT-540B-TR2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HBAT-540B-TR2G-FT |
BA892H6327XTSA1
Infineon Technologies
BA892H6433XTMA1
Infineon Technologies
BA892H6770XTSA1
Infineon Technologies
BA895H6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR 63-02W E6127
Infineon Technologies
BAR 63-02W E6327
Infineon Technologies
BAR 63-02W E6433
Infineon Technologies
BAR 63-02W H6433
Infineon Technologies
BAR6302WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT 62-02W E6327
Infineon Technologies
XC4003E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG676I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
EPF10K250EFC672-3
Intel
XC7A200T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFX200EB-04F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60F1020C5
Intel