casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / HBA82MFZRE
Número da peça de fabricante | HBA82MFZRE |
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Número da peça futura | FT-HBA82MFZRE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HB, CGS |
HBA82MFZRE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 82 MOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 0.4W |
Composição | Thick Film |
Características | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Radial Lead |
Tamanho / dimensão | 0.315" L x 0.102" W (8.00mm x 2.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.492" (12.50mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HBA82MFZRE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HBA82MFZRE-FT |
H83K0FDA
TE Connectivity Passive Product
H83K0FYA
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A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F43C2N
Intel
EP3SL340F1760I4LN
Intel
EP4CGX22BF14I7N
Intel
XC7VX550T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
LFEC6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200QI208-3
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel