casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / HBA33MFZRE
Número da peça de fabricante | HBA33MFZRE |
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Número da peça futura | FT-HBA33MFZRE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HB, CGS |
HBA33MFZRE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 33 MOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 0.4W |
Composição | Thick Film |
Características | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Radial Lead |
Tamanho / dimensão | 0.315" L x 0.102" W (8.00mm x 2.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.492" (12.50mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HBA33MFZRE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HBA33MFZRE-FT |
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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XC2VP4-6FF672C
Xilinx Inc.
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40E2SG
Intel
EP1S10F780C6
Intel
5SGXMA3H2F35I2N
Intel