casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / HB35M0FZRE
Número da peça de fabricante | HB35M0FZRE |
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Número da peça futura | FT-HB35M0FZRE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HB, CGS |
HB35M0FZRE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 5 MOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 2W |
Composição | Thick Film |
Características | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Radial Lead |
Tamanho / dimensão | 2.047" L x 0.118" W (52.00mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.409" (10.40mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB35M0FZRE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HB35M0FZRE-FT |
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Xilinx Inc.
XC2V6000-5FFG1517I
Xilinx Inc.
A3PE1500-2PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3CQC
Microchip Technology
EP4CGX30BF14C8
Intel
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
XC6VSX315T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQ176I
Microsemi Corporation
EP20K100FC324-1
Intel