casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / HB35M0FZRE
Número da peça de fabricante | HB35M0FZRE |
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Número da peça futura | FT-HB35M0FZRE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HB, CGS |
HB35M0FZRE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 5 MOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 2W |
Composição | Thick Film |
Características | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Radial Lead |
Tamanho / dimensão | 2.047" L x 0.118" W (52.00mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.409" (10.40mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB35M0FZRE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HB35M0FZRE-FT |
H845K3BYA
TE Connectivity Passive Product
H847KFCA
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H886R6BDA
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LCMXO2280E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC256-1
Intel
5SGXMA5K2F40I3N
Intel
EP3SE260H780C4
Intel
5SGXMA9N1F45I2N
Intel
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF19I7N
Intel
EP1C12F324C6N
Intel