casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / HB350MFZRE
Número da peça de fabricante | HB350MFZRE |
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Número da peça futura | FT-HB350MFZRE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HB, CGS |
HB350MFZRE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 50 MOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 2W |
Composição | Thick Film |
Características | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Radial Lead |
Tamanho / dimensão | 2.047" L x 0.118" W (52.00mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.409" (10.40mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB350MFZRE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HB350MFZRE-FT |
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
EP1K100FC256-3N
Intel
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
XC7A15T-3CSG324E
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation