casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / HB33M0FZRE
Número da peça de fabricante | HB33M0FZRE |
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Número da peça futura | FT-HB33M0FZRE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HB, CGS |
HB33M0FZRE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 3 MOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 2W |
Composição | Thick Film |
Características | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Radial Lead |
Tamanho / dimensão | 2.047" L x 0.118" W (52.00mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.409" (10.40mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB33M0FZRE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HB33M0FZRE-FT |
H886R6BCA
TE Connectivity Passive Product
H886R6BDA
TE Connectivity Passive Product
H888R7BCA
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LFXP6E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EX256-TQG100A
Microsemi Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-UCG81
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXMA9K3H40C2N
Intel
A42MX16-1PQ160M
Microsemi Corporation