casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / HB320MFZRE
Número da peça de fabricante | HB320MFZRE |
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Número da peça futura | FT-HB320MFZRE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HB, CGS |
HB320MFZRE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 20 MOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 2W |
Composição | Thick Film |
Características | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Radial Lead |
Tamanho / dimensão | 2.047" L x 0.118" W (52.00mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.409" (10.40mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB320MFZRE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HB320MFZRE-FT |
H884R5BCA
TE Connectivity Passive Product
H884R5BDA
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TE Connectivity Passive Product
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XC2V1500-5FG676I
Xilinx Inc.
XC4005XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
LCMXO3L-6900C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C2N
Intel
5SGXMA5K3F40I3LN
Intel
XC7VX550T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
XC7A35T-L2CSG324E
Xilinx Inc.
LFE2-35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EBI356-3
Intel