casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / HB13M0FZRE
Número da peça de fabricante | HB13M0FZRE |
---|---|
Número da peça futura | FT-HB13M0FZRE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HB, CGS |
HB13M0FZRE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 3 MOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 1W |
Composição | Thick Film |
Características | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Radial Lead |
Tamanho / dimensão | 1.043" L x 0.118" W (26.50mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.409" (10.40mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB13M0FZRE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HB13M0FZRE-FT |
H893R1BDA
TE Connectivity Passive Product
H8953RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8953RBZA
TE Connectivity Passive Product
H895R3BCA
TE Connectivity Passive Product
H895R3BDA
TE Connectivity Passive Product
H895R3BZA
TE Connectivity Passive Product
H8976KBCA
TE Connectivity Passive Product
H8976RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8976RBDA
TE Connectivity Passive Product
H8976RBZA
TE Connectivity Passive Product
LCMXO640E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
AFS1500-1FG256
Microsemi Corporation
5SGXEABK2H40C3N
Intel
XC5VLX330-1FFG1760I
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
LFXP6C-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
Intel
EP20K1000CB652C9ES
Intel
EPF10K30RI240-4
Intel