casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / HB1300MFZRE
Número da peça de fabricante | HB1300MFZRE |
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Número da peça futura | FT-HB1300MFZRE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HB, CGS |
HB1300MFZRE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 300 MOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 1W |
Composição | Thick Film |
Características | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Radial Lead |
Tamanho / dimensão | 1.043" L x 0.118" W (26.50mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.409" (10.40mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB1300MFZRE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HB1300MFZRE-FT |
H8953RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8953RBZA
TE Connectivity Passive Product
H895R3BCA
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H895R3BDA
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H8976KBCA
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H8976RBDA
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H897R6BCA
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A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C8
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EP4S100G5F45I1
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XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel