casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / HB11M0FZRE
Número da peça de fabricante | HB11M0FZRE |
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Número da peça futura | FT-HB11M0FZRE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HB, CGS |
HB11M0FZRE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 1 MOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 1W |
Composição | Thick Film |
Características | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Radial Lead |
Tamanho / dimensão | 1.043" L x 0.118" W (26.50mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.409" (10.40mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB11M0FZRE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HB11M0FZRE-FT |
H893R1BCA
TE Connectivity Passive Product
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EX256-TQG100A
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Xilinx Inc.
AGL030V5-UCG81
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M2GL010-1VFG400I
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A42MX16-1PQ160M
Microsemi Corporation