casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / HB110MFZRE
Número da peça de fabricante | HB110MFZRE |
---|---|
Número da peça futura | FT-HB110MFZRE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HB, CGS |
HB110MFZRE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 10 MOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 1W |
Composição | Thick Film |
Características | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Radial Lead |
Tamanho / dimensão | 1.043" L x 0.118" W (26.50mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.409" (10.40mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB110MFZRE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HB110MFZRE-FT |
H895R3BCA
TE Connectivity Passive Product
H895R3BDA
TE Connectivity Passive Product
H895R3BZA
TE Connectivity Passive Product
H8976KBCA
TE Connectivity Passive Product
H8976RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8976RBDA
TE Connectivity Passive Product
H8976RBZA
TE Connectivity Passive Product
H897R6BCA
TE Connectivity Passive Product
H897R6BDA
TE Connectivity Passive Product
H897R6BZA
TE Connectivity Passive Product
LFE2-12E-6T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-L1FGG676I
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C8
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGXEA5N1F45C2LN
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
5SGXMA7H2F35I3N
Intel
XC6SLX16-3CSG225I
Xilinx Inc.
A54SX16A-2TQG100I
Microsemi Corporation