casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / HB1100MFZRE
Número da peça de fabricante | HB1100MFZRE |
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Número da peça futura | FT-HB1100MFZRE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HB, CGS |
HB1100MFZRE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 100 MOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 1W |
Composição | Thick Film |
Características | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Radial Lead |
Tamanho / dimensão | 1.043" L x 0.118" W (26.50mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.409" (10.40mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB1100MFZRE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HB1100MFZRE-FT |
H890R9BCA
TE Connectivity Passive Product
H890R9BDA
TE Connectivity Passive Product
H890R9BZA
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TE Connectivity Passive Product
H8953RBZA
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16U484A7N
Intel
EP2AGX45DF25C4N
Intel
10AX048K2F35E2LG
Intel
5SGSMD8N3F45I4
Intel
XC5VLX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP1K30QC208-2
Intel