casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H856R2DZA
Número da peça de fabricante | H856R2DZA |
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Número da peça futura | FT-H856R2DZA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H856R2DZA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 56.2 Ohms |
Tolerância | ±0.5% |
Potência (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H856R2DZA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H856R2DZA-FT |
H851R1BYA
TE Connectivity Passive Product
H851R1BZA
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TE Connectivity Passive Product
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A3P125-TQ144
Microsemi Corporation
XC2VP2-6FG256I
Xilinx Inc.
AT40K05AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA7K2F40I3
Intel
10AX022C4U19I3SG
Intel
XC4VFX60-11FF672C
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC3D3F31I3N
Intel
5AGXMA5G6F35C6N
Intel