casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H856R2BDA
Número da peça de fabricante | H856R2BDA |
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Número da peça futura | FT-H856R2BDA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H856R2BDA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 56.2 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H856R2BDA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H856R2BDA-FT |
H851KFCA
TE Connectivity Passive Product
H851KFZA
TE Connectivity Passive Product
H851R1BCA
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H851R1BDA
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H851R1BYA
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H851RFCA
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H851RFDA
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EP1K50TC144-1
Intel
LFXP3E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FGG256M
Microsemi Corporation
AX250-1FG256
Microsemi Corporation
M1AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB5R1F40C1N
Intel
AGL125V2-FG144T
Microsemi Corporation
10AX032E2F27I1SG
Intel