casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H838R3DZA
Número da peça de fabricante | H838R3DZA |
---|---|
Número da peça futura | FT-H838R3DZA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H838R3DZA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 38.3 Ohms |
Tolerância | ±0.5% |
Potência (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H838R3DZA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H838R3DZA-FT |
H8357KBZA
TE Connectivity Passive Product
H8357RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8357RBDA
TE Connectivity Passive Product
H8357RBYA
TE Connectivity Passive Product
H8357RBZA
TE Connectivity Passive Product
H835K7BCA
TE Connectivity Passive Product
H835K7BDA
TE Connectivity Passive Product
H835K7BYA
TE Connectivity Passive Product
H835K7BZA
TE Connectivity Passive Product
H835R7BCA
TE Connectivity Passive Product
A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
EP4S100G5F45I1
Intel
XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel