casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H833R2BYA
Número da peça de fabricante | H833R2BYA |
---|---|
Número da peça futura | FT-H833R2BYA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H833R2BYA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 33.2 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±15ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H833R2BYA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H833R2BYA-FT |
H8309RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8309RBDA
TE Connectivity Passive Product
H8309RBYA
TE Connectivity Passive Product
H8309RBZA
TE Connectivity Passive Product
H8309RDCA
TE Connectivity Passive Product
H830K1BYA
TE Connectivity Passive Product
H830K1DCA
TE Connectivity Passive Product
H830K1DYA
TE Connectivity Passive Product
H830K1DZA
TE Connectivity Passive Product
H830K1FDA
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel