casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H830R9BZA
Número da peça de fabricante | H830R9BZA |
---|---|
Número da peça futura | FT-H830R9BZA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H830R9BZA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 30.9 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H830R9BZA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H830R9BZA-FT |
H82K26BDA
TE Connectivity Passive Product
H82K26BZA
TE Connectivity Passive Product
H82K26DCA
TE Connectivity Passive Product
H82K26DYA
TE Connectivity Passive Product
H82K26DZA
TE Connectivity Passive Product
H82K2BAA
TE Connectivity Passive Product
H82K2DYA
TE Connectivity Passive Product
H82K2FCA
TE Connectivity Passive Product
H82K2FDA
TE Connectivity Passive Product
H82K2FYA
TE Connectivity Passive Product
A54SX16A-1TQG144
Microsemi Corporation
AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484C7N
Intel
5SGXEA3K2F35I2N
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC4VFX40-10FFG1152C
Xilinx Inc.
XC6VSX315T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PL84I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-2N
Intel
5SGXEA3H2F35I2N
Intel