casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H823R2BZA
Número da peça de fabricante | H823R2BZA |
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Número da peça futura | FT-H823R2BZA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H823R2BZA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 23.2 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H823R2BZA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H823R2BZA-FT |
H4P86K6DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P86K6DZA
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H4P909RDCA
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XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
XCV100E-7FG256C
Xilinx Inc.
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
M2GL005-1FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-6BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA9N1F45I2N
Intel
XC5VLX330T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-2CPG196C
Xilinx Inc.
5SGXMA3H3F35C4N
Intel