casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H816R2BZA
Número da peça de fabricante | H816R2BZA |
---|---|
Número da peça futura | FT-H816R2BZA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H816R2BZA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 16.2 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H816R2BZA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H816R2BZA-FT |
H815K4DZA
TE Connectivity Passive Product
H815K4FDA
TE Connectivity Passive Product
H815K8BCA
TE Connectivity Passive Product
H815K8BDA
TE Connectivity Passive Product
H815K8BYA
TE Connectivity Passive Product
H815K8BZA
TE Connectivity Passive Product
H815KBCA
TE Connectivity Passive Product
H815KBDA
TE Connectivity Passive Product
H815KBYA
TE Connectivity Passive Product
H815KBZA
TE Connectivity Passive Product
M1A3PE1500-FG484I
Microsemi Corporation
EP3C5M164C7N
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
XC5VLX110T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6F23C7N
Intel
10AX115N4F45I3SG
Intel
10AX115U4F45I3SGE2
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K100EQI240-3
Intel