casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H816R2BDA
Número da peça de fabricante | H816R2BDA |
---|---|
Número da peça futura | FT-H816R2BDA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H816R2BDA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 16.2 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H816R2BDA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H816R2BDA-FT |
H815K4DCA
TE Connectivity Passive Product
H815K4DYA
TE Connectivity Passive Product
H815K4DZA
TE Connectivity Passive Product
H815K4FDA
TE Connectivity Passive Product
H815K8BCA
TE Connectivity Passive Product
H815K8BDA
TE Connectivity Passive Product
H815K8BYA
TE Connectivity Passive Product
H815K8BZA
TE Connectivity Passive Product
H815KBCA
TE Connectivity Passive Product
H815KBDA
TE Connectivity Passive Product
LFE2-12E-6T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-L1FGG676I
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C8
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGXEA5N1F45C2LN
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
5SGXMA7H2F35I3N
Intel
XC6SLX16-3CSG225I
Xilinx Inc.
A54SX16A-2TQG100I
Microsemi Corporation