casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H812R7BYA
Número da peça de fabricante | H812R7BYA |
---|---|
Número da peça futura | FT-H812R7BYA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H812R7BYA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 12.7 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±15ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H812R7BYA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H812R7BYA-FT |
H811K8BYA
TE Connectivity Passive Product
H811K8BZA
TE Connectivity Passive Product
H811K8FDA
TE Connectivity Passive Product
H811KBDA
TE Connectivity Passive Product
H811KBYA
TE Connectivity Passive Product
H811KDCA
TE Connectivity Passive Product
H811KDYA
TE Connectivity Passive Product
H811KDZA
TE Connectivity Passive Product
H811KFCA
TE Connectivity Passive Product
H811KFDA
TE Connectivity Passive Product
XC3S1500-4FG456I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400
Microsemi Corporation
5SGXEA5K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F40C3N
Intel
5SGXEABK3H40I3L
Intel
5SGXEA5H3F35I3N
Intel
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H3F34I2SG
Intel
EPF10K30AQC240-3
Intel